近日,国内领先的光芯片制造商陕西源杰半导体科技股份有限公司披露重磅投资计划,公司拟投资约12.51亿元在西咸新区沣西新城建设光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目,进一步深化在高速光芯片领域布局。
源杰半导体此次加码扩产,核心目标便是通过导入先进设备、优化生产工艺,进一步提升公司高速光芯片的产能规模与生产自动化水平,持续增强高端光芯片产品的市场交付能力。
近年来,人工智能、云计算及数字经济的爆发式增长,推动全球数据中心建设进程不断加快,光模块行业呈现出向高速率、高带宽升级的显著趋势。据LightCounting预测,全球以太网光模块市场规模预计在2026年同比增长35%至189亿美元,且在后续数年将持续维持双位数增长。下游AI基础设施建设释放的强劲需求,直接拉动了上游高速光芯片的市场需求,也造成了部分高端光芯片产品的供应短缺。在此背景下,源杰半导体精准切入高速光芯片领域加码投资,是对行业市场变化的积极响应,旨在借此在全球光芯片供应链中占据更有利的市场位置。

此次项目落地的西咸新区沣西新城,也将为源杰半导体二期项目的推进与发展提供全方位支撑。西咸新区及沣西新城将持续健全“政产学研金用”全要素服务体系,完善“科技型中小企业-高新技术企业-科技小巨人-瞪羚企业-独角兽企业”的梯度培育体系,精准对接企业在政策、资金、人才、市场等方面的全方位需求,助力以源杰半导体为代表的创新企业发展壮大,推动产业链与创新链深度融合,吸引更多高科技企业在区域内落地生根、发展壮大。

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